MSG06T65FLD Todos los transistores

 

MSG06T65FLD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSG06T65FLD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31.3 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MSG06T65FLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3046K  cn maspower
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MSG06T65FLD

MSG06T65FLDFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.6V,I =6A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V12 AIc T=25*Collector Current-continuousT=1006 ACollector Current-

Otros transistores... TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , CRG60T60AK3HD , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , MSG15T65FQT , MSG15T65FQE .

History: IXYA8N90C3D1

 

 
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