MSG06T65FLD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSG06T65FLD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 56.8 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31.3 pF
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de MSG06T65FLD IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
MSG06T65FLD datasheet
msg06t65fld.pdf
MSG06T65FLD Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.6V,I =6A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 12 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 6 A Collector Current-
Otros transistores... TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , IKW50N60H3 , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , MSG15T65FQT , MSG15T65FQE .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor