MSG06T65FLD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSG06T65FLD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 56.8
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 12
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 17
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 31.3
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 16.8
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MSG06T65FLD - IGBT
MSG06T65FLD Datasheet (PDF)
msg06t65fld.pdf
MSG06T65FLDFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.6V,I =6A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V12 AIc T=25*Collector Current-continuousT=1006 ACollector Current-
Otros transistores... TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , MBQ40T65FDSC , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , MSG15T65FQT , MSG15T65FQE .
Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ