MSG06T65FLD - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги MSG06T65FLD. Основные параметры


   Наименование: MSG06T65FLD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 31.3 pF
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MSG06T65FLD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG06T65FLD даташит

 ..1. Size:3046K  cn maspower
 msg06t65fld.pdf pdf_icon

MSG06T65FLD

MSG06T65FLD Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.6V,I =6A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 12 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 6 A Collector Current-

Другие IGBT... TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , IKW50N60H3 , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , MSG15T65FQT , MSG15T65FQE .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.