Справочник IGBT. MSG06T65FLD

 

MSG06T65FLD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG06T65FLD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 31.3 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 16.8 nC
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для MSG06T65FLD

 

 

MSG06T65FLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3046K  cn maspower
 msg06t65fld.pdf

MSG06T65FLD MSG06T65FLD

MSG06T65FLDFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.6V,I =6A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V12 AIc T=25*Collector Current-continuousT=1006 ACollector Current-

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top