Справочник IGBT. MSG06T65FLD

 

MSG06T65FLD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG06T65FLD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 31.3 pF
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MSG06T65FLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3046K  cn maspower
 msg06t65fld.pdf pdf_icon

MSG06T65FLD

MSG06T65FLDFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.6V,I =6A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V12 AIc T=25*Collector Current-continuousT=1006 ACollector Current-

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1

 

 
Back to Top

 


 
.