JNG5T65DS1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JNG5T65DS1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 67.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21 pF
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)
jng5t65ds1.pdf
JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating
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History: STGP10NB60S
History: STGP10NB60S
Liste
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