JNG5T65DS1 Todos los transistores

 

JNG5T65DS1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JNG5T65DS1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 67.5
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 10
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 21
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 10.9
   Paquete / Cubierta: TO252

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JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)

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jng5t65ds1.pdf

JNG5T65DS1 JNG5T65DS1

JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating

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