JNG5T65DS1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG5T65DS1

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 67.5

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 10

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 21

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 10.9

Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de JNG5T65DS1 - IGBT

JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1021K  jiaensemi
 jng5t65ds1.pdf

JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating

Otros transistores... JNG40T60AI , JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , TGAN60N60FD , JNG60T60HS , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 .