JNG5T65DS1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JNG5T65DS1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 67.5
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 10
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 21
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 10.9
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JNG5T65DS1 - IGBT
JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)
jng5t65ds1.pdf
JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating
Otros transistores... JNG40T60AI , JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , IRG7S313U , JNG60T60HS , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ