JNG5T65DS1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: JNG5T65DS1

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 67.5

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 10

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 21

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 10.9

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JNG5T65DS1

JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1021K  jiaensemi
 jng5t65ds1.pdf

JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating

Другие IGBT... JNG40T60AI , JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , TGAN60N60FD , JNG60T60HS , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 .