JNG5T65DS1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JNG5T65DS1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 67.5
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 10
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 21
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 10.9
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JNG5T65DS1
JNG5T65DS1 Datasheet (PDF)
jng5t65ds1.pdf

JNG5T65DS1 IGBT Features 650V,5A V =1.8V@V =15V,I =5A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application general inverter and Motor control Absolute Maximum Rating
Другие IGBT... JNG40T60AI , JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , TGAN60N60FD , JNG60T60HS , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: HIA20N140IH-DA | HIA50N65IH-JA | HIA50N65H-SA | HIA50N65T-SA | HIA50N65H-JA | HIA50N65T-JA | HIA30N140CIH-DA | HIA40N120T-SA | HIW30N65T-SA | HIA30N65T-SA | HIA75N65H-SA