JNG60T60HS Todos los transistores

 

JNG60T60HS IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG60T60HS

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 329 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 343 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 188 pF

Encapsulados: TO247

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JNG60T60HS datasheet

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
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JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Otros transistores... JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , JNG5T65DS1 , IRG4PC50U , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED .

 

 

 


 
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