JNG60T60HS Todos los transistores

 

JNG60T60HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG60T60HS

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 329

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 110

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 343

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 188

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 107.4

Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de JNG60T60HS - IGBT

 

JNG60T60HS Datasheet (PDF)

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jng60t60hs.pdf

JNG60T60HS
JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Otros transistores... JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , JNG5T65DS1 , FGW75N60HD , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED .

 

 
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