JNG60T60HS Todos los transistores

 

JNG60T60HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JNG60T60HS
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 329 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 343 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 188 pF
   Paquete / Cubierta: TO247

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JNG60T60HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
 jng60t60hs.pdf

JNG60T60HS JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SGH80N60UF | RJH60M6DPQ-A0 | TT100N120PF1E | RJP6065DPM | RJP63F3DPP-M0 | APT15GP60BDQ1 | AIGW50N65F5

 

 
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