JNG60T60HS Todos los transistores

 

JNG60T60HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JNG60T60HS
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 329
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 110
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 343
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 188
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 107.4
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de JNG60T60HS - IGBT

 

JNG60T60HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
jng60t60hs.pdf

JNG60T60HS
JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


JNG60T60HS
  JNG60T60HS
  JNG60T60HS
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ

 

 

 
Back to Top