JNG60T60HS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: JNG60T60HS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 329

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 110

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.05

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 343

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 188

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 107.4

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для JNG60T60HS

JNG60T60HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
 jng60t60hs.pdf

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Другие IGBT... JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , JNG5T65DS1 , FGW75N60HD , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED .