Справочник IGBT. JNG60T60HS

 

JNG60T60HS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JNG60T60HS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 329 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 343 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 188 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JNG60T60HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
 jng60t60hs.pdf pdf_icon

JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Другие IGBT... JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , JNG5T65DS1 , CRG40T60AK3HD , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED .

 

 
Back to Top

 


 
.