JNG60T60HS - аналоги и описание IGBT

 

JNG60T60HS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JNG60T60HS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 329 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 343 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 188 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для JNG60T60HS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JNG60T60HS даташит

 ..1. Size:1060K  jiaensemi
 jng60t60hs.pdf pdf_icon

JNG60T60HS

JNG60T60HS IGBT Features 600V,60A V =2.05V@V =15V,I =60A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN Trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as SMPS, general inverter and other soft switching

Другие IGBT... JNG40T60HS , JNG40T65HUY2 , JNG40T65HYU1 , JNG50N120FLU1 , JNG50N120LS , JNG50N120QFU1 , JNG50N120QS1 , JNG5T65DS1 , IRG4PC50U , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.