CRG05T60A44S-G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG05T60A44S-G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12.98 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)
crg05t60a44s-g.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature
Otros transistores... JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED , AOK40B65H2AL , MBQ40T120FDS , FGA40N60UFD , IRG4PC50U , CRG08T60A83L , CRG08T60A93L , CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S .
History: APT45GP120J | IXGC16N60C2 | STGB40H65FB | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX
History: APT45GP120J | IXGC16N60C2 | STGB40H65FB | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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