CRG05T60A44S-G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG05T60A44S-G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G05T60A44S
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12.98 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 20.1 nC
Paquete / Cubierta: TO252
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CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)
crg05t60a44s-g.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature
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