CRG05T60A44S-G Todos los transistores

 

CRG05T60A44S-G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRG05T60A44S-G
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12.98 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)

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CRG05T60A44S-G

Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature

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History: APT45GP120J | IXGC16N60C2 | STGB40H65FB | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
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