CRG05T60A44S-G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG05T60A44S-G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G05T60A44S
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 55
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 12.98
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 25
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 20.1
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CRG05T60A44S-G - IGBT
CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)
crg05t60a44s-g.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ