CRG05T60A44S-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CRG05T60A44S-G  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12.98 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CRG05T60A44S-G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG05T60A44S-G даташит

 ..1. Size:837K  wuxi china
 crg05t60a44s-g.pdf pdf_icon

CRG05T60A44S-G

Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature

Другие IGBT... JNG75T65HXU1, JNG75T65HYU2, JNG80T60LS, JNG8T60FT1, JT075N065WED, AOK40B65H2AL, MBQ40T120FDS, FGA40N60UFD, MGD623S, CRG08T60A83L, CRG08T60A93L, CRG15T120BK3SD, CRG15T60A03L, CRG15T60A83L, CRG15T60A93L, CRG15T60A94S, CRG15T60A84S