Справочник IGBT. CRG05T60A44S-G

 

CRG05T60A44S-G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG05T60A44S-G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G05T60A44S
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 55
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 12.98
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 25
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 20.1
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CRG05T60A44S-G

 

 

CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  wuxi china
 crg05t60a44s-g.pdf

CRG05T60A44S-G CRG05T60A44S-G

Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top