Справочник IGBT. CRG05T60A44S-G

 

CRG05T60A44S-G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG05T60A44S-G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12.98 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CRG05T60A44S-G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG05T60A44S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  wuxi china
 crg05t60a44s-g.pdf pdf_icon

CRG05T60A44S-G

Silicon FS Trench IGBT CRG05T60A44S-G General Description Feature Parameters VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) IC 5 A technology, offering superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 55 W RoHS Compliant. VCE(sat) 1.50 V Package TO-252 Features FS Trench Technology, Positive temperature

Другие IGBT... JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , JT075N065WED , AOK40B65H2AL , MBQ40T120FDS , FGA40N60UFD , FGL60N100BNTD , CRG08T60A83L , CRG08T60A93L , CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S .

 

 
Back to Top

 


 
.