CRG08T60A93L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG08T60A93L
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G08T60A93L
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 32
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 16
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 23
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 63
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 44
Paquete / Cubierta: TO220F
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CRG08T60A93L Datasheet (PDF)
crg08t60a93l.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A93L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 32 W VCE(sat) 1.8 V TO-220F Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t
crg08t60a83l.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A83L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 104 W VCE(sat) 1.8 V TO-220 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t
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Liste
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