Справочник IGBT. CRG08T60A93L

 

CRG08T60A93L - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG08T60A93L
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G08T60A93L
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 32
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 23
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 63
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 44
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CRG08T60A93L

 

 

CRG08T60A93L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1539K  wuxi china
 crg08t60a93l.pdf

CRG08T60A93L CRG08T60A93L

Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A93L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 32 W VCE(sat) 1.8 V TO-220F Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t

 5.1. Size:1568K  wuxi china
 crg08t60a83l.pdf

CRG08T60A93L CRG08T60A93L

Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A83L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 104 W VCE(sat) 1.8 V TO-220 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top