CRG30T60AK3HD Todos los transistores

 

CRG30T60AK3HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRG30T60AK3HD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 102 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

CRG30T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  wuxi china
 crg30t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG30T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 156 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.75 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

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History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1

 

 
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