CRG30T60AK3HD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG30T60AK3HD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 102 pF
Encapsulados: TO247
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CRG30T60AK3HD datasheet
crg30t60ak3hd.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 156 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.75 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat
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