Справочник IGBT. CRG30T60AK3HD

 

CRG30T60AK3HD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG30T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 102 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG30T60AK3HD

 

 

CRG30T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  wuxi china
 crg30t60ak3hd.pdf

CRG30T60AK3HD CRG30T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 156 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.75 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top