Справочник IGBT. CRG30T60AK3HD

 

CRG30T60AK3HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG30T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 102 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CRG30T60AK3HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG30T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  wuxi china
 crg30t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG30T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 156 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.75 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

Другие IGBT... CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , CRG25T135BKR3S , IXRH40N120 , CRG40T60AK3H , CRG40T60AK3SD , CRG50T60AK3HD , CRG60T60AK3H , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 , SRE100N065FSUD6 .

History: SGL50N60RUFD | MWI50-06A7T | MMGT50W120X6C | MMGT50H120X6C | CRG25T120BNR3S | BLG40T120FUK-F

 

 
Back to Top

 


 
.