Справочник IGBT. CRG30T60AK3HD

 

CRG30T60AK3HD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG30T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G30T60AK3HD
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 48
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 102
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 162
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG30T60AK3HD

 

 

CRG30T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  wuxi china
 crg30t60ak3hd.pdf

CRG30T60AK3HD CRG30T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 156 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.75 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

Другие IGBT... CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L , CRG15T60A83L , CRG15T60A93L , CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , CRG25T135BKR3S , TGAN20N135FD , CRG40T60AK3H , CRG40T60AK3SD , CRG50T60AK3HD , CRG60T60AK3H , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 , SRE100N065FSUD6 .

 

 
Back to Top