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CRG50T60AK3HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRG50T60AK3HD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 92 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 189 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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CRG50T60AK3HD Datasheet (PDF)

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CRG50T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 500 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

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History: IXDR35N60BD1 | IXBT28N170A | MDI150-12A4 | IXEN60N120D1 | AUIRGP4062D | IXYL60N450 | IXGM17N100

 

 
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