CRG50T60AK3HD Todos los transistores

 

CRG50T60AK3HD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRG50T60AK3HD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 92 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 189 pF

Encapsulados: TO247

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CRG50T60AK3HD datasheet

 ..1. Size:1239K  wuxi china
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CRG50T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 500 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.8 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

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History: HIA30N140IH-DA | SPF15N65T1T2TL | IXSH45N120B | STGP30V60DF | SPD15N65T1T0TL | SGR5N60RUF | IXSR40N60BD1

 

 

 

 

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