CRG50T60AK3HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG50T60AK3HD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G50T60AK3HD
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 92
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 189
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 303
Paquete / Cubierta: TO247
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CRG50T60AK3HD Datasheet (PDF)
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Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 500 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati
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