CRG50T60AK3HD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CRG50T60AK3HD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G50T60AK3HD
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 92
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 189
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 303
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для CRG50T60AK3HD
CRG50T60AK3HD Datasheet (PDF)
crg50t60ak3hd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 500 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![CRG50T60AK3HD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![CRG50T60AK3HD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![CRG50T60AK3HD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ