GT30G122 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT30G122  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6(max) V @25℃

Encapsulados: TO220F

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GT30G122 datasheet

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Otros transistores... SRE80N065FSU2, SRE80N065FSU2DB, SRE80N065FSUD6, SRE80N065FSUD8, OST80N65HMF, HCKW75N65GH2, HCKZ75N65GH2, CRG40T120BK3S, RJP30H1DPD, IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131