GT30G122 Todos los transistores

 

GT30G122 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT30G122
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: 30G122
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT30G122 Datasheet (PDF)

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Otros transistores... SRE80N065FSU2 , SRE80N065FSU2DB , SRE80N065FSUD6 , SRE80N065FSUD8 , OST80N65HMF , HCKW75N65GH2 , HCKZ75N65GH2 , CRG40T120BK3S , FGPF4633 , IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 .

History: MBQ60T65PES | IHW20N135R5

 

 
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