GT30G122 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT30G122  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6(max) V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30G122

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30G122 даташит

No data!

Другие IGBT... SRE80N065FSU2, SRE80N065FSU2DB, SRE80N065FSUD6, SRE80N065FSUD8, OST80N65HMF, HCKW75N65GH2, HCKZ75N65GH2, CRG40T120BK3S, RJP30H1DPD, IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131