IXSM40N60 Todos los transistores

 

IXSM40N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSM40N60
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 350 pF
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IXSM40N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ixys
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IXSM40N60

 9.1. Size:102K  ixys
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IXSM40N60

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 VIXSM 45N100 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C75 AIC90 TC = 90C45 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 180 A

Otros transistores... HCKZ75N65GH2 , CRG40T120BK3S , GT30G122 , IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , RJH3047 , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA .

 

 
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