IXSM40N60 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IXSM40N60. Основные параметры


   Наименование: IXSM40N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IXSM40N60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSM40N60 даташит

 ..1. Size:277K  ixys
 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf pdf_icon

IXSM40N60

 9.1. Size:102K  ixys
 ixsm45n100.pdf pdf_icon

IXSM40N60

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 V IXSM 45N100 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC90 TC = 90 C45 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 180 A

Другие IGBT... HCKZ75N65GH2 , CRG40T120BK3S , GT30G122 , IGW40T60 , IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IRGP4063D , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.