Справочник IGBT. IXSM40N60

 

IXSM40N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSM40N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.5(max)
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 170
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 350
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 190
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IXSM40N60

 

 

IXSM40N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ixys
 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf

IXSM40N60 IXSM40N60

 9.1. Size:102K  ixys
 ixsm45n100.pdf

IXSM40N60 IXSM40N60

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 VIXSM 45N100 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C75 AIC90 TC = 90C45 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 180 A

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top