IXSM40N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXSM40N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXSM40N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSM40N60 даташит

 ..1. Size:277K  ixys
 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf pdf_icon

IXSM40N60

 9.1. Size:102K  ixys
 ixsm45n100.pdf pdf_icon

IXSM40N60

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 V IXSM 45N100 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC90 TC = 90 C45 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 180 A

Другие IGBT... HCKZ75N65GH2, CRG40T120BK3S, GT30G122, IGW40T60, IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IHW20N120R3, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA