GT30F126 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT30F126
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 18 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
Encapsulados: TO220F
Búsqueda de reemplazo de GT30F126 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
GT30F126 datasheet
No DATA!
Otros transistores... IGW40T60K , IKW75N60TA , IGW40N60TP , IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , SGT40N60FD2PN , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor