GT30F126 datasheet, аналоги, основные параметры

GT30F126 - это биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для коммутации большой мощности. Он сочетает в себе высокое входное сопротивление МОП-транзистора с низкими потерями проводимости биполярного транзистора. Устройство оптимизировано для работы при среднем напряжении и поддерживает быстрое переключение с низкими потерями при отключении. GT30F126 обладает высокой пропускной способностью по току, хорошей термостойкостью и надежной работой в сложных электрических условиях.

Наименование: GT30F126  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30F126

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30F126 даташит

No data!

Другие IGBT... IGW40T60K, IKW75N60TA, IGW40N60TP, IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, CRG40T60AK3HD, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA