HIHS50N65H-SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIHS50N65H-SA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 136
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 85
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.45
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 25
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 140
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 105
Paquete / Cubierta: TO247
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HIHS50N65H-SA Datasheet (PDF)
hihs50n65h-sa.pdf
Aug 2023HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation)650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeaturesKey Parameters Very Low VCE(sat)Parameter Value Unit Extremely low switching lossVCES 650 V Excellent stability and uniformityIC 50 A Soft Fast Reverse Recovery DiodeVCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolationEtot 1.
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Liste
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