HIHS50N65H-SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIHS50N65H-SA  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 136 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF

Encapsulados: TO247

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HIHS50N65H-SA datasheet

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HIHS50N65H-SA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Otros transistores... IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, RJH30E2DPP, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA