HIHS50N65H-SA Todos los transistores

 

HIHS50N65H-SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIHS50N65H-SA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 136 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HIHS50N65H-SA Datasheet (PDF)

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HIHS50N65H-SA

Aug 2023HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation)650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeaturesKey Parameters Very Low VCE(sat)Parameter Value Unit Extremely low switching lossVCES 650 V Excellent stability and uniformityIC 50 A Soft Fast Reverse Recovery DiodeVCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolationEtot 1.

Otros transistores... IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , YGW60N65F1A1 , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA .

 

 
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