Справочник IGBT. HIHS50N65H-SA

 

HIHS50N65H-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIHS50N65H-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 136
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 85
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 25
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 140
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 105
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HIHS50N65H-SA

 

 

HIHS50N65H-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  semihow
 hihs50n65h-sa.pdf

HIHS50N65H-SA HIHS50N65H-SA

Aug 2023HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation)650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeaturesKey Parameters Very Low VCE(sat)Parameter Value Unit Extremely low switching lossVCES 650 V Excellent stability and uniformityIC 50 A Soft Fast Reverse Recovery DiodeVCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolationEtot 1.

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top