HIHS50N65H-SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIHS50N65H-SA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIHS50N65H-SA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIHS50N65H-SA даташит

 ..1. Size:547K  semihow
 hihs50n65h-sa.pdf pdf_icon

HIHS50N65H-SA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Другие IGBT... IXSM35N100A, IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, IKW50N60T, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA