Справочник IGBT. HIHS50N65H-SA

 

HIHS50N65H-SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIHS50N65H-SA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HIHS50N65H-SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIHS50N65H-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  semihow
 hihs50n65h-sa.pdf pdf_icon

HIHS50N65H-SA

Aug 2023HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation)650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeaturesKey Parameters Very Low VCE(sat)Parameter Value Unit Extremely low switching lossVCES 650 V Excellent stability and uniformityIC 50 A Soft Fast Reverse Recovery DiodeVCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolationEtot 1.

Другие IGBT... IXSM35N100A , IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , YGW60N65F1A1 , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA .

 

 
Back to Top

 


 
.