HIA75N65H-SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIA75N65H-SA  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

Encapsulados: TO247

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HIA75N65H-SA datasheet

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HIA75N65H-SA

Aug 2023 HIA75N65H-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 75 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Solar

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