HIA75N65H-SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIA75N65H-SA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 395
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 151
Paquete / Cubierta: TO247
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HIA75N65H-SA Datasheet (PDF)
hia75n65h-sa.pdf
Aug 2023HIA75N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 75 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar
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Liste
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