HIA75N65H-SA Todos los transistores

 

HIA75N65H-SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIA75N65H-SA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 151 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HIA75N65H-SA Datasheet (PDF)

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HIA75N65H-SA

Aug 2023HIA75N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 75 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar

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