Справочник IGBT. HIA75N65H-SA

 

HIA75N65H-SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIA75N65H-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 151 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HIA75N65H-SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA75N65H-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  semihow
 hia75n65h-sa.pdf pdf_icon

HIA75N65H-SA

Aug 2023HIA75N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 75 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: OST50N65KEW2F

 

 
Back to Top

 


 
.