HIA75N65H-SA - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги HIA75N65H-SA. Основные параметры


   Наименование: HIA75N65H-SA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HIA75N65H-SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA75N65H-SA даташит

 ..1. Size:531K  semihow
 hia75n65h-sa.pdf pdf_icon

HIA75N65H-SA

Aug 2023 HIA75N65H-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 75 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Solar

Другие IGBT... IXSM40N60 , GT45F122 , GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , IKW50N60T , HIA30N65T-SA , HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA .

History: HIHS50N65H-SA

 

 

 


 
↑ Back to Top
.