HIA75N65H-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIA75N65H-SA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 151
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HIA75N65H-SA
HIA75N65H-SA Datasheet (PDF)
hia75n65h-sa.pdf
Aug 2023HIA75N65H-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 75 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175ApplicationPackage & Internal Circuit Solar
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ