HIA75N65H-SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIA75N65H-SA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIA75N65H-SA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA75N65H-SA даташит

 ..1. Size:531K  semihow
 hia75n65h-sa.pdf pdf_icon

HIA75N65H-SA

Aug 2023 HIA75N65H-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 75 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 3.79 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Application Package & Internal Circuit Solar

Другие IGBT... IXSM40N60, GT45F122, GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, RJP63F3DPP-M0, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA