HIW30N65T-SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIW30N65T-SA  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 188 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14.5 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 67.5 pF

Encapsulados: TO263

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HIW30N65T-SA datasheet

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HIW30N65T-SA

Aug 2023 HIW30N65T-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 30 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 0.66 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

Otros transistores... GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, CRG60T60AK3HD, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA