Справочник IGBT. HIW30N65T-SA

 

HIW30N65T-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIW30N65T-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 188
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 14.5
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 67.5
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 59
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HIW30N65T-SA

 

 

HIW30N65T-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  semihow
 hiw30n65t-sa.pdf

HIW30N65T-SA HIW30N65T-SA

Aug 2023HIW30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.66 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top