Справочник IGBT. HIW30N65T-SA

 

HIW30N65T-SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIW30N65T-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67.5 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 59 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HIW30N65T-SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIW30N65T-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  semihow
 hiw30n65t-sa.pdf pdf_icon

HIW30N65T-SA

Aug 2023HIW30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.66 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

Другие IGBT... GT30G131 , DGU4020GR , GT30F126 , GT30F133 , GT30F132 , HIHS50N65H-SA , HIA75N65H-SA , HIA30N65T-SA , GT30F131 , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , HIA20N140IH-DA .

 

 
Back to Top

 


 
.