HIW30N65T-SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIW30N65T-SA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67.5 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIW30N65T-SA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIW30N65T-SA даташит

 ..1. Size:518K  semihow
 hiw30n65t-sa.pdf pdf_icon

HIW30N65T-SA

Aug 2023 HIW30N65T-SA 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 650 V Extremely low switching loss IC 30 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 0.66 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package &

Другие IGBT... GT30G131, DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, GT30G124, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA