Справочник IGBT. HIW30N65T-SA

 

HIW30N65T-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIW30N65T-SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67.5 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 59 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HIW30N65T-SA

 

 

HIW30N65T-SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  semihow
 hiw30n65t-sa.pdf

HIW30N65T-SA HIW30N65T-SA

Aug 2023HIW30N65T-SA650V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 650 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 0.66 mJ Short Circuit Withstand Time 5.0 Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package &

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top