HIA40N120T-SA Todos los transistores

 

HIA40N120T-SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIA40N120T-SA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 157 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HIA40N120T-SA Datasheet (PDF)

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HIA40N120T-SA

Aug 2023HIA40N120T-SA1200V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1200 V Extremely low switching lossIC 40 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.86 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247

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History: OSC80N65HF | IHW20N120R3 | GT30F133

 

 
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