HIA40N120T-SA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIA40N120T-SA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 428
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 157
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 175
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HIA40N120T-SA
HIA40N120T-SA Datasheet (PDF)
hia40n120t-sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Aug 2023HIA40N120T-SA1200V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1200 V Extremely low switching lossIC 40 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery DiodeEtot 3.86 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![HIA40N120T-SA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HIA40N120T-SA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HIA40N120T-SA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ