HIA40N120T-SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIA40N120T-SA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 157 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIA40N120T-SA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA40N120T-SA даташит

 ..1. Size:514K  semihow
 hia40n120t-sa.pdf pdf_icon

HIA40N120T-SA

Aug 2023 HIA40N120T-SA 1200V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 1200 V Extremely low switching loss IC 40 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.45 V Soft Fast Reverse Recovery Diode Etot 3.86 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package & Internal Circuit Application TO-247

Другие IGBT... DGU4020GR, GT30F126, GT30F133, GT30F132, HIHS50N65H-SA, HIA75N65H-SA, HIA30N65T-SA, HIW30N65T-SA, IRGP4086, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, HIA20N140IH-DA, GT30F122