HIA20N140IH-DA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIA20N140IH-DA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 300
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1400
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.2
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 54
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 132
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HIA20N140IH-DA - IGBT
HIA20N140IH-DA Datasheet (PDF)
hia20n140ih-da.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Aug. 2023HIA20N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 20 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL
hia20n60bp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Dec 2013VCES = 600 VIC = 20 AHIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-
Otros transistores... HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , SGT15T60QD1F , GT30F122 , SG40T120DB , SG60T120UDB3 , SGT60U65FD1PN , SGT60U65FD1PT , OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF .
![HIA20N140IH-DA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HIA20N140IH-DA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HIA20N140IH-DA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ