HIA20N140IH-DA Todos los transistores

 

HIA20N140IH-DA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIA20N140IH-DA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 54 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 132 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

HIA20N140IH-DA Datasheet (PDF)

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HIA20N140IH-DA

Aug. 2023HIA20N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 20 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL

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HIA20N140IH-DA

Dec 2013VCES = 600 VIC = 20 AHIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-

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History: F3L30R06W1E3_B11 | STGWT60H60DLFB

 

 
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