HIA20N140IH-DA Todos los transistores

 

HIA20N140IH-DA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIA20N140IH-DA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 54 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HIA20N140IH-DA datasheet

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HIA20N140IH-DA

Aug. 2023 HIA20N140IH-DA 1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 1400 V Extremely low switching loss IC 20 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltage Eoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package & Internal Circuit Application TO-247 SYMBOL

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HIA20N140IH-DA

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-247 FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 G C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-

Otros transistores... HIW30N65T-SA , HIA40N120T-SA , HIA30N140CIH-DA , HIA50N65T-JA , HIA50N65H-JA , HIA50N65T-SA , HIA50N65H-SA , HIA50N65IH-JA , JT075N065WED , GT30F122 , SG40T120DB , SG60T120UDB3 , SGT60U65FD1PN , SGT60U65FD1PT , OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF .

History: STGWT40H65DFB | NGD8205N

 

 

 


 
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