HIA20N140IH-DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIA20N140IH-DA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIA20N140IH-DA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIA20N140IH-DA даташит

 ..1. Size:474K  semihow
 hia20n140ih-da.pdf pdf_icon

HIA20N140IH-DA

Aug. 2023 HIA20N140IH-DA 1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 1400 V Extremely low switching loss IC 20 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltage Eoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package & Internal Circuit Application TO-247 SYMBOL

 8.1. Size:664K  semihow
 hia20n60bp.pdf pdf_icon

HIA20N140IH-DA

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-247 FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 G C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-

Другие IGBT... HIW30N65T-SA, HIA40N120T-SA, HIA30N140CIH-DA, HIA50N65T-JA, HIA50N65H-JA, HIA50N65T-SA, HIA50N65H-SA, HIA50N65IH-JA, FGH60N60SFD, GT30F122, SG40T120DB, SG60T120UDB3, SGT60U65FD1PN, SGT60U65FD1PT, OST120N65H4SMF, OST120N65H4UMF, OST120N65H5SMF