HIA20N140IH-DA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIA20N140IH-DA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 132 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HIA20N140IH-DA
HIA20N140IH-DA Datasheet (PDF)
hia20n140ih-da.pdf
Aug. 2023HIA20N140IH-DA1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 20 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-247 SYMBOL
hia20n60bp.pdf
Dec 2013VCES = 600 VIC = 20 AHIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-247FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 GCE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2