OST160N65H5MF Todos los transistores

 

OST160N65H5MF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OST160N65H5MF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 237 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 404 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 261 nC
   Paquete / Cubierta: TO247-PLUS
 

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OST160N65H5MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  oriental semi
 ost160n65h5mf.pdf pdf_icon

OST160N65H5MF

OST160N65H5MF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST160N65H5MF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

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History: MIXA30WB1200TED | DIM400GCM33-F | IXGH64N60B3 | IXSN35N100U1 | SGTQ40T120SDB2P7 | MG12300D-BN2MM | IXYH40N65C3

 

 
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