OST160N65H5MF Todos los transistores

 

OST160N65H5MF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OST160N65H5MF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 237 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 404 pF

Encapsulados: TO247-PLUS

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OST160N65H5MF datasheet

 ..1. Size:721K  oriental semi
 ost160n65h5mf.pdf pdf_icon

OST160N65H5MF

OST160N65H5MF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST160N65H5MF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

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History: OST20N135HRF

 

 

 

 

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