Справочник IGBT. OST160N65H5MF

 

OST160N65H5MF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST160N65H5MF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 237 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 404 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 261 nC
   Тип корпуса: TO247-PLUS
 

 Аналог (замена) для OST160N65H5MF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST160N65H5MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  oriental semi
 ost160n65h5mf.pdf pdf_icon

OST160N65H5MF

OST160N65H5MF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST160N65H5MF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

Другие IGBT... OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , TGPF30N43P , OST20N135HRF , OST25N65FMF , OST25N65PMF , OST30N65HMF , OST30N65KTXF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF .

 

 
Back to Top

 


 
.