OST160N65H5MF - аналоги и описание IGBT

 

OST160N65H5MF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: OST160N65H5MF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 237 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 404 pF

Тип корпуса: TO247-PLUS

 Аналог (замена) для OST160N65H5MF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST160N65H5MF даташит

 ..1. Size:721K  oriental semi
 ost160n65h5mf.pdf pdf_icon

OST160N65H5MF

OST160N65H5MF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST160N65H5MF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

Другие IGBT... OST120N65H4SMF , OST120N65H4UMF , OST120N65H5SMF , OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , TGAN20N135FD , OST20N135HRF , OST25N65FMF , OST25N65PMF , OST30N65HMF , OST30N65KTXF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF .

History: DF400R12KE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.