OST20N135HRF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OST20N135HRF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 51.3 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 71.5 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de OST20N135HRF - IGBT
OST20N135HRF Datasheet (PDF)
ost20n135hrf.pdf
OST20N135HRF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel IGBT Features Applications Advanced TGBTTM technology Induction heating Monolithically integrated diode Soft switching applications Excellent conduction and switching loss Excellent stability and uniformity OST20N135HRF , Enhancement Mode N-Channel IGBT General Description V 1350 V CES,
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