OST20N135HRF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OST20N135HRF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 290
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1350
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 51.3
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 71.5
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de OST20N135HRF - IGBT
OST20N135HRF Datasheet (PDF)
ost20n135hrf.pdf
OST20N135HRF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel IGBT Features Applications Advanced TGBTTM technology Induction heating Monolithically integrated diode Soft switching applications Excellent conduction and switching loss Excellent stability and uniformity OST20N135HRF , Enhancement Mode N-Channel IGBT General Description V 1350 V CES,
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Liste
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