OST20N135HRF Todos los transistores

 

OST20N135HRF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OST20N135HRF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 51.3 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 71.5 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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OST20N135HRF Datasheet (PDF)

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OST20N135HRF

OST20N135HRF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel IGBT Features Applications Advanced TGBTTM technology Induction heating Monolithically integrated diode Soft switching applications Excellent conduction and switching loss Excellent stability and uniformity OST20N135HRF , Enhancement Mode N-Channel IGBT General Description V 1350 V CES,

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History: 1MBI300U2H-060L-50 | SKM500GA123D | IXSH25N120AU1 | VWI15-12P1 | IRG4BC20KD-S | 1MBI2400U4D-120 | CM100TU-24F

 

 
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