Справочник IGBT. OST20N135HRF

 

OST20N135HRF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST20N135HRF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 51.3 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 71.5 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для OST20N135HRF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST20N135HRF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  oriental semi
 ost20n135hrf.pdf pdf_icon

OST20N135HRF

OST20N135HRF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel IGBT Features Applications Advanced TGBTTM technology Induction heating Monolithically integrated diode Soft switching applications Excellent conduction and switching loss Excellent stability and uniformity OST20N135HRF , Enhancement Mode N-Channel IGBT General Description V 1350 V CES,

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: FGH60T65SQD-F155 | STGW40NC60W | NGTB50N120FL2WG | DGW75N65CTL1

 

 
Back to Top

 


 
.