OST25N65PMF Todos los transistores

 

OST25N65PMF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OST25N65PMF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 62 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 44 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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OST25N65PMF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:815K  oriental semi
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OST25N65PMF

OST25N65PMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65PMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 6.1. Size:687K  oriental semi
 ost25n65fmf.pdf pdf_icon

OST25N65PMF

OST25N65FMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65FMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

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History: BLG60T65FUL-W

 

 
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