Справочник IGBT. OST25N65PMF

 

OST25N65PMF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST25N65PMF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для OST25N65PMF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST25N65PMF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:815K  oriental semi
 ost25n65pmf.pdf pdf_icon

OST25N65PMF

OST25N65PMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65PMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 6.1. Size:687K  oriental semi
 ost25n65fmf.pdf pdf_icon

OST25N65PMF

OST25N65FMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST25N65FMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

Другие IGBT... OST120N65HEMF , OST15N65DRF , OST15N65FRF , OST15N65KRF , OST15N65PRF , OST160N65H5MF , OST20N135HRF , OST25N65FMF , MGD623S , OST30N65HMF , OST30N65KTXF , OST40N120HEMF , OST40N120HMF , OST40N65HEMF , OST40N65HMF , OST40N65HXF , OST40N65KMF .

History: NGTB40N120FL2 | VS-GB50YF120N | VS-GP300TD60S | IXGP30N60C3C1

 

 
Back to Top

 


 
.