OSC90N65HF Todos los transistores

 

OSC90N65HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSC90N65HF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 125 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1436 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 197 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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OSC90N65HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  oriental semi
 osc90n65hf.pdf pdf_icon

OSC90N65HF

OSC90N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC90N65HF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology

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History: OST60N65H4EWF

 

 
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