Справочник IGBT. OSC90N65HF

 

OSC90N65HF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OSC90N65HF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 125
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1436
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 197
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSC90N65HF

 

 

OSC90N65HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  oriental semi
 osc90n65hf.pdf

OSC90N65HF OSC90N65HF

OSC90N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC90N65HF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology

Другие IGBT... OST75N65HZF , OST80N65H4EMF , OST80N65HEMF , OST80N65HEVF , OST80N65HSMF , OST90N60HCZF , OST90N65HM2F , OSC80N65HF , RJP30E2DPP-M0 , RJH3047 , GT30F123 , GT30J127 , OST50N65HEWF , OST50N65KEW2F , OST60N65H4EMF , OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF .

 

 
Back to Top