OSC90N65HF - аналоги и описание IGBT

 

OSC90N65HF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: OSC90N65HF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 125 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1436 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSC90N65HF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OSC90N65HF даташит

 ..1. Size:707K  oriental semi
 osc90n65hf.pdf pdf_icon

OSC90N65HF

OSC90N65HF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OSC90N65HF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technology

Другие IGBT... OST75N65HZF , OST80N65H4EMF , OST80N65HEMF , OST80N65HEVF , OST80N65HSMF , OST90N60HCZF , OST90N65HM2F , OSC80N65HF , FGA25N120ANTD , RJH3047 , GT30F123 , GT30J127 , OST50N65HEWF , OST50N65KEW2F , OST60N65H4EMF , OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF .

History: FGHL75T65MQDT | SMBL1G100US60 | SKM300GAL063D | SKM300GAR123D | 6MBI75VA-120-50 | 6MBI75U2A-060 | SKM300GAL123D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.