GT30F123 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT30F123  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1(max) V @25℃

Encapsulados: TO220F

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GT30F123 datasheet

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Otros transistores... OST80N65HEMF, OST80N65HEVF, OST80N65HSMF, OST90N60HCZF, OST90N65HM2F, OSC80N65HF, OSC90N65HF, RJH3047, RJP30H2A, GT30J127, OST50N65HEWF, OST50N65KEW2F, OST60N65H4EMF, OST60N65H4EWF, OST75N65HSWF, OST80N65H4EWF, OST80N65HEWF