GT30F123 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT30F123  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1(max) V @25℃

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT30F123

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30F123 даташит

No data!

Другие IGBT... OST80N65HEMF, OST80N65HEVF, OST80N65HSMF, OST90N60HCZF, OST90N65HM2F, OSC80N65HF, OSC90N65HF, RJH3047, RJP30H2A, GT30J127, OST50N65HEWF, OST50N65KEW2F, OST60N65H4EMF, OST60N65H4EWF, OST75N65HSWF, OST80N65H4EWF, OST80N65HEWF