OST50N65KEW2F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OST50N65KEW2F 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 41 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 276 pF

Encapsulados: TO263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

OST50N65KEW2F datasheet

..1. Size:595K oriental semi
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6.1. Size:732K oriental semi
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OST50N65HMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

6.2. Size:535K oriental semi
ost50n65hf-d.pdf pdf_icon

OST50N65HF-D Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HF-D uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

6.3. Size:756K oriental semi
ost50n65hewf.pdf pdf_icon