SGT10T60SDM1D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT10T60SDM1D 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 49 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 35 pF

Encapsulados: TO252

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Búsqueda de reemplazo de SGT10T60SDM1D IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGT10T60SDM1D datasheet

..1. Size:316K silan
sgt10t60sdm1d.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1D 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1D Field StopIII 1 G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=1

2.1. Size:315K silan
sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1P7 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1P7 1 Field StopIII G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@I

9.1. Size:561K silan
sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT10U60SDM2D 10A 600V C 2 SGT10U60SDM2D 4 Plus Field Stop IV+ 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A