Справочник IGBT. SGT10T60SDM1D

 

SGT10T60SDM1D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT10T60SDM1D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGT10T60SDM1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  silan
 sgt10t60sdm1d.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1D

SGT10T60SDM1D 10A600V C2SGT10T60SDM1D Field StopIII 1G UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=1

 2.1. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1D

SGT10T60SDM1P7 10A600V C2SGT10T60SDM1P7 1Field StopIIIG UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@I

 4.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1D

SGT10T60SD1S/F 10A600V C2SGT10T60SD1S/F 1Field StopIIIG UPSSMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=10A

 9.1. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT10T60SDM1D

SGT10U60SDM2D 10A600V C2SGT10U60SDM2D 4 PlusField Stop IV+ 1G UPS,SMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD | IXGP12N100

 

 
Back to Top

 


 
.