SGT15T60SD1T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT15T60SD1T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 15T60SD1T
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 109 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 41 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 38 nC
Paquete / Cubierta: TO220
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SGT15T60SD1T Datasheet (PDF)
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE
sgt15t60qd1f.pdf
SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC
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