SGT15T60SD1T - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGT15T60SD1T
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SGT15T60SD1T
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGT15T60SD1T даташит
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A 600V C 2 SGT15T60SD1T/F/S 1 Field Stop III G UPS,SMPS PFC 1 3 3 TO-263-2L E 15A 600V VCE
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A 650V C 2 SGT15U65SD1F(FD) 4 1 G Plus Field Stop IV+ UPS SMPS PFC 3 E 15A 650V VCE(sat)( )=1.6V@IC
Другие IGBT... OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , IRG7IC28U , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F .
History: MG100HF12MIC1
History: MG100HF12MIC1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet