SGT15T60SD1T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT15T60SD1T
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGT15T60SD1T Datasheet (PDF)
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE
sgt15t60qd1f.pdf
SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC
Другие IGBT... OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , IRGP4063D , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F .
History: IRG4IBC30FD | OST75N65HSVF | IRGI4086 | IRGIB7B60KD | HGTG7N60A4D | RJH1CV5DPQ-E0 | IHW50N65R5
History: IRG4IBC30FD | OST75N65HSVF | IRGI4086 | IRGIB7B60KD | HGTG7N60A4D | RJH1CV5DPQ-E0 | IHW50N65R5
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet