SGT15T60SD1T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT15T60SD1T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 15T60SD1T
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 109
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 41
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 38
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SGT15T60SD1T

 

 

SGT15T60SD1T Datasheet (PDF)

Другие IGBT... OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , RJH30E2DPP , SGT15T60SD1F , SGT15T60SD1STR , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F .