SGT30T60SDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT30T60SDM1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 30T60SDM1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 278
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 105
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 130
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 76
Paquete / Cubierta: TO247
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SGT30T60SDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt30t60sdm1p7.pdf
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SGT30T60SDM1P7 30A600V C2SGT30T60SDM1P7 Field Stop III 1G UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE sat=1.65V@IC=30
sgt30t60sd3pu.pdf
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SGT30T60SD3PU 30A600V C2SGT30T60SD3PU 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=30A
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