SGT30T60SDM1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT30T60SDM1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 30T60SDM1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 76 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT30T60SDM1P7

 

 

SGT30T60SDM1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , IHW40T60 , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS .