SGT30T60SDM1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT30T60SDM1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 30T60SDM1
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 76 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGT30T60SDM1P7 Datasheet (PDF)
..1. Size:363K silan
sgt30t60sdm1p7.pdf
sgt30t60sdm1p7.pdf
SGT30T60SDM1P7 30A600V C2SGT30T60SDM1P7 Field Stop III 1G UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE sat=1.65V@IC=30
4.1. Size:340K silan
sgt30t60sd3pu.pdf
sgt30t60sd3pu.pdf
SGT30T60SD3PU 30A600V C2SGT30T60SD3PU 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=30A
Другие IGBT... SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , YGW40N65F1 , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS .
History: MG50J2YS50
History: MG50J2YS50
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055