SGT30T60SDM1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT30T60SDM1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 30T60SDM1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 278
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 105
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 76
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT30T60SDM1P7

 

 

SGT30T60SDM1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 , SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , TGD30N40P , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS .