SGT40T120SDB4P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT40T120SDB4P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
Encapsulados: TO247
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SGT40T120SDB4P7 datasheet
sgt40t120sdb4p7.pdf
SGT40T120SDB4P7 40A 1200V C 2 SGT40T120SDB4P7 1 Trench Field Stop IV G UPS SMPS 3 E
sgt40n60f2p7.pdf
SGT40N60F2P7 40A, 600V C 2 SGT40N60F2P7 1 Field Stop II G UPS SMPS PFC 3 E 4
sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7 sgt40n60fd2pt.pdf
SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 40A, 600V C 2 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 1 1 2 G 3 Field Stop III TO-247-3L SMPS UPS
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