SGT40T120SDB4P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT40T120SDB4P7
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGT40T120SDB4P7 Datasheet (PDF)
sgt40t120sdb4p7.pdf
SGT40T120SDB4P7 40A1200V C2SGT40T120SDB4P7 1Trench Field Stop IVG UPSSMPS 3E
sgt40n60fd1p7.pdf
SGT40N60FD1P7 40A, 600V C 2SGT40N60FD1P7 1G UPSSMPS PFC 3E 40A, 600V, VCE(sat) =1.8V@IC=40A
sgt40n60f2p7.pdf
SGT40N60F2P7 40A, 600V C2SGT40N60F2P7 1Field Stop IIG UPSSMPS PFC 3E 4
sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7 sgt40n60fd2pt.pdf
SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 40A, 600V C2 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 112G3 Field Stop III TO-247-3L SMPS UPS
Другие IGBT... SGT20T60SD1FD , SGT20T60SD1PN , SGT20T60SD1T , SGT30T60SDM1P7 , SGT30T60SD3PU , SGT40N60F2P7 , SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGH80N60UFD , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 .
History: NCE40TD135LT | SGT20T60SD1T | GT80J101 | BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2 | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
History: NCE40TD135LT | SGT20T60SD1T | GT80J101 | BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2 | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945