SGT70N65FD1P7 Todos los transistores

 

SGT70N65FD1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGT70N65FD1P7
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 70N65FD1P7
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 321
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 140
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 171
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 390
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 189
   Paquete / Cubierta: TO247

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SGT70N65FD1P7 Datasheet (PDF)

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SGT70N65FD1P7 SGT70N65FD1P7

SGT70N65FD1P7 70A650V C 2SGT70N65FD1P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A

 4.1. Size:303K  silan
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SGT70N65FD1P7 SGT70N65FD1P7

SGT70N65FDM1P7 70A650V C2SGT70N65FDM1P7 Field Stop1 UPS,SMPSG PFC 3E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A

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